Изотов Александр Дмитриевич (01.06.1951-25.01.2022), член-корреспондент РАН,заведующий лабораторией полупроводниковых и диэлектрических материалов (1994-2015 гг.)
Изотов Александр Дмитриевич - крупный ученый в области физикохимии и технологии неорганических материалов, автор свыше 200 научных трудов, в том числе научного открытия, 9 монографий, ряда патентов и обзоров.
А.Д. Изотов в 1974 г. окончил Московский институт стали и сплавов по специальности «физика металлов» и по распределению поступил на работу в ИОНХ им. Н.С. Курнакова АН СССР в лабораторию химической термодинамики. В 1979 году защитил кандидатскую, а в 1991 году – докторскую диссертацию на соискание ученой степени доктора химических наук на тему «Устойчивость кристаллических структур веществ при внешних критических воздействиях». С 1994 по 2015 г. - заведовал лабораторией термодинамических основ неорганического материаловедения (с 2013 г. – лаборатория полупроводниковых и диэлектрических материалов). С 2002 по 2009 год был заместителем директора ИОНХ по научной работе.
В 1997 году был избран членом-корреспондентом РАН по Отделению физикохимии и технологии неорганических материалов.
Александром Дмитриевичем Изотовым разработана и развита новая концепция в теории разрушения конструкционных материалов (керамики) при интенсивных механических и тепловых нагрузках; теоретически доказан механизм диссоциативного разрушения керамики на микро- и наноуровнях. Изотов А.Д. внес большой вклад в теорию устойчивости твердых тел, выдвинул и обосновал термодинамические критерии перехода твердых тел от хрупкого к пластическому состоянию в условиях динамического нагружения. Работы Изотова А.Д. о механизмах разрушения тел под воздействием высокоскоростного удара, в частности под действием кумулятивных струй, определяют пути создания эффективных броневых преград на основе керамических материалов. Эти работы были отмечены премией им. С.И. Мосина (2001 г.)
Важное значение имеет цикл работ Изотова А.Д. и его учеников по изучению синергетики и фрактальной термомеханики неорганических материалов, кинетики и механизмов растворения оксидов металлов в кислых средах, в частности, для получения наночастиц оксидов металлов заданного размера. Так же им выдвинута и обоснована фрактальная модель описания температурной зависимости термодинамических параметров.
Значительный вклад внесен Изотовым А.Д. в развитие теоретических методов анализа структурной и фазовой устойчивости неорганических веществ и материалов. Выполненные им теоретические расчеты и оценки позволили доказать открытую закономерность морфотропии в гомологических рядах полупроводники-металл. Эта работа признана научным открытием (№196).
А.Д. Изотов, С.Ф. Маренкин, И.В. Федорченко, А.С. Румянцев, А.В. Кочура, В.М. Трухан, Т.В. Шелковая. Магнитные свойства эвтектического сплава системы InSb-MnSb // Перспективные материалы, 2011. С. 228 – 231.
А.Д. Изотов, Ф.И. Маврикиди. Фракталы: делимость вещества как степень свободы в материаловедении. (Монография). Изд. СГАУ. Самара. 2011. 128 с.
М.Г. Васильев, А.М. Васильев, А.Д. Изотов, А.А. Шелякин. Создание и исследование лазерного диода для удаленного контроля метана // Неорганические материалы. 2012. Т.48. №3. С. 305-311.
Магнитомягкий полупроводниковый материал. Саныгин В.П. Пашкова О.Н. Филатов А.В. Изотов А.Д. Новоторцев В.М. Патент на изобретение № 2465378. Заявка № 2011127787 Приоритет изобретения 07 июня 2011 г. Зарегистрировано в государственном реестре изобретений РФ 27 октября 2012 г.
О.Н. Пашкова, В.П. Саныгин, А.В. Филатов, Н.Н. Ефимов, А.Д. Изотов. Магнитомягкий полупроводник InSb с температурой Кюри 320 К.// Журнал неорганической химии. 2012. Т.57. №7. С. 1073–1075.
А.Д. Изотов, Ф.И. Маврикиди. Фракталы в технологии материалов // Наука и технологии в промышленности. 2012. №3.
Зарощенный лазерный диод с длиной волны излучения 1310 нм, работающий в СВЧ – диапазоне / М.Г. Васильев, А.М. Васильев, А.Д. Изотов, А.А. Шелякин // Известия академии инженерных наук им. А.М. Прохорова.2013. №2. С.23-30.
V. P. Sanygin, N. N. Lobanov, O. N. Pashkova, and A. D. Izotov. A Microstructural Study of a Quenched InSb Ingot// Inorganic Materials, 2013, Vol. 49, No. 9, pp. 857–861.
V.P. Sanygin, N.N. Lobanov, A.D. Izotov, O.N. Pashkova, and A.V. Filatov. Microstructure of Quenched Doped InSb.// Inorganic Materials. 2014. Vol. 50. № 9. P. 892–896. DOI: 10.1134/S0036023614070183
В.Г. Яржемский, С. В. Мурашов, А. Д. Изотов. Электронное строение и обменное взаимодействие в магнитных полупроводниках Ga1–xMnxAs и In1–xMnxSb.// Неорганические материалы. 2016.- Т.52. - № 2. – C.119–123. DOI: 10.7868/S0002337X16020172
М. Г. Васильев, А. М. Васильев, В. В. Голованов, А.Д. Изотов, А. А. Шелякин. Метод ступенчатого травления оптического волокна // Журнал неорганической химии. 2016. Т. 61. -№9. – С. 1218–1220. DOI: 10.7868/S0044457X16090208
М.Г. Васильев, А.М. Васильев, А.Д. Изотов, А.А. Шелякин. Подготовка подложек фосфида индия для выращивания эпитаксиальных слоев // Неорганические материалы. 2018. Т. 54. №11. С. 1174-1177. DOI: 10.1134/S0020168518110158.
M.G. Vasil’ev, A.M. Vasil’ev, Yu.O. Kostin, A.A. Shelyakin, A.D.Izotov. Study of Linear Light Edge-Emitting Diodes Based on InP/InGaAsP/InP Heterostructure with the Crescent Active Region. // Inorganic Materials: Applied Research. 2018. V.9. № 5. P. 813-816. DOI: 10.1134/S2075113318050295.
Пашкова О.Н., Изотов А.Д., Саныгин В.П., Ефимов Н.Н., Васильев М.Г. Ферромагнетизм сплавов на основе антимонида индия, легированного Mn и Ni // Неорганические материалы. 2019. Т. 55. №9. С. 941–945. DOI: 10.1134/S0002337X19090148. (Pashkova O.N., Izotov A.D., Sanygin V.P., Efimov N.N., Vasil’ev M.G. Ferromagnetism of Alloys Based on Mn- and Ni-Doped Indium Antimonide.// Inorganic Materials. 2019. V.55. №9. P. 887–891. DOI: 10.1134/S0020168519090140.
Pashkova O.N., Sanygin V.P., Izotov A.D. Synthesis and properties of InSb. Advances in synthesis and complexing. The Fifth International Scientific Conference. 22–26 April 2019 Moscow, RUDN University. Book of Abstracts in 2 parts. Vol. 2. P. 92.
Васильев М.Г., Васильев А.М., Изотов А.Д., Маренкин С.Ф., Пашкова О.Н., Шелякин А.А. Cоздание гетеропереходов ZnSe - InP на плоских и профилированных поверхностях лазерных кристаллов InP.// Неорганические материалы. 2019. Т. 55. №9. C. 957–961. DOI: 10.1134/S0002337X19090185. (Vasil’ev M.G., Vasil’ev A.M., Izotov A.D., Marenkin S.F., Pashkova O.N., and Shelyakin A.A. Fabrication of ZnSe/InP Heterojunctions on Flat and Shaped Surfaces of InP Laser Crystals // Inorganic Materials. 2019. V.55. No.9. P. 903-907. DOI: 10.1134/S0020168519090188.
Yarzhemsky V.G., Murashov S.V., Izotov A.D. Electronic Structure and Ferromagnetic Transition Temperature of Ga1-xMnxAs in the Nonempirical Local Exchange Method// Inorganic Materials. 2019. V. 55. №1. P. 1-8. DOI: 10.1134/S0020168519010187. (Яржемский В.Г., Мурашов С.В., Изотов А.Д. Электронное строение и температура ферромагнитного перехода Ga1-xMnxAs в неэмпирическом методе локального обмена // Неорганические материалы. 2019. Т. 53. №1. С. 3-10. DOI: 10.1134/S0002337X19010184
Васильев М. Г., Васильев А. М., Костин Ю. О., Изотов А. Д., Шелякин А. А. Создание гетероструктур зарощенного типа для СВЧ лазерных диодов. // Перспективные материалы. 2020, № 4. С. 24-33. DOI: 10.30791/1028-978X-2020-4-24-33 [Vasil’ev M.G., Vasil’ev A.M., Kostin Yu.O., Izotov A.D., Shelyakin A.A. Creation of Buried Heterostructures for Microwave Laser Diodes // Inorganic Materials: Applied Research, 2020, Vol. 11, No. 5, pp. 1071–1077. DOI: 10.1134/S2075113320050342]
Izotov A.D., Mavrikidi F.I. Fractal-Numerical Duality in Materials Science// JOJ Material Sci. 2020. Vol. 6, iss.2, pp. 30-31. DOI: 10.19080/JOJMS.2020.06.555683.
Vasil’ev M.G., Vasil’ev A.M., Izotov A.D., Kostin Yu.O., Shelyakin A.A. Growing epitaxial layers of InP/InGaAsP heterostructures on the profiled InP surfaces by liquid-phase epitaxy // Condensed Matter and Interphases. 2021. V.23 No2. P. 204–211. doi: 10.17308/kcmf.2021.23/3430
Vasil’ev M.G., Vasil’ev A.M., Izotov A.D., Kostin Yu.O., Shelyakin A.A. Technological features of the method of liquid-phase epitaxy when growing InP/GaInAsP heterostructures. // Condensed Matter and Interphases. 2021. V.23 No3. P. 374-379. doi: 10.17308/kcmf.2021.23/3528
Sanygin V.P., Pashkova O.N., Izotov A.D. Structure and chemical composition of grain boundaries in the magnetic semiconductor GaSb // Condensed Matter and Interphases. 2021. V.23. No3. P. 413–420. doi: 10.17308/kcmf.2021.23/3533 А.Д. Изотов, Ф.И. Маврикиди. Фракталы: делимость вещества как степень свободы в материаловедении. (монография) М. Дельфис: 2022. 242 с. ISBN 978-5-6048112-3-8
Изотов Александр Дмитриевич - крупный ученый в области физикохимии и технологии неорганических материалов, автор свыше 200 научных трудов, в том числе научного открытия, 9 монографий, ряда патентов и обзоров.
