119991, Москва,
Ленинский просп., 31
Тел.: (495) 952-07-87
Факс: (495) 954-12-79
e-mail: info@igic.ras.ru


Дополнительные ссылки
|
Сектор технологии субмикронных структур и оптоэлектронных сенсоровЗаведующий сектором - д.т.н., профессор Васильев Михаил Григорьевич.
Сотрудники сектора
Сектор субмикронных структур и оптоэлектронных сенсоров входит в состав лаборатории полупроводниковых и диэлектрических материалов.
Основные проблемы, которые решает сектор - это проведение фундаментальных и прикладных исследований в области синтеза и роста эпитаксиальных наногетероструктур на основе полупроводниковых многокомпонентных твердых растворов соединений А3В5 и А2В6. Основные материалы и гетероструктуры, с которыми работает сектор это InP, GaAs, GaInAsP, ZnSe, InP/GaInAsP, ZnSe/GaAs, ZnSe/GaInAsP.
Сектор имеет технологическое оборудование и необходимую оснастку для выращивания многослойных гетероструктур на планарных и профилированных поверхностях для приборов различного назначения.
За годы работы, в секторе созданы и изучены излучающие приборы, полупроводниковые лазеры и фотодиоды спектрального диапазона длин волн 1210-1680 нМ. На этой элементной базе, с использованием оптического волокна, разработаны сенсоры для контроля довзрывоопасных концентраций метана.
Сотрудники сектора активно участвуют в отраслевых программах РАН, а также работают по контрактам с Рос.наукой по федеральным целевым программам.
В ходе этих работ на основе структур с квантовыми ямами и квантовыми точками, получены и исследованы полупроводниковые лазеры, работающие в СВЧ-диапазоне.
Сотрудники сектора активно взаимодействуют с академическими и учебными институтами, а также отраслевыми предприятиями, что позволяет более эффективно проводить исследования в области наногетероструктур для оптоэлектронных сенсоров.
|
ОБЪЯВЛЕНИЯ
Рассылка новостей
|