Васильев Михаил Григорьевич закончил Московский институт стали и сплавов в 1969 г. В 1972 году поступил в аспирантуру Московского института стали и сплавов, которую с успехом закончил в конце 1975года с присуждением ученой степени кандидата технических наук. В 1976 году работал в НИИ “Полюс” начальником лаборатории. С 1977г по 1980г Васильевым М.Г. проведен комплекс работ по созданию нового оборудования и материалов для полупроводниковых лазеров. К 1980 году удается разработать и определить основные технические требования и в содружестве с рядом предприятий Министерства электронной промышленности, Министерства цветной металлургии и Академии Наук СССР, создать новое технологическое оборудование и специальные материалы, определившие дальнейшее развитие полупроводниковых лазеров и фотодиодов на следующее десятилетие. С 1977 по 1991г. Васильев М.Г. назначается главным конструктором и заместителем главного конструктора ряда работ по созданию полупроводниковых лазеров и фотодиодов.
В 1984 году в составе авторского коллектива, возглавляемого Ж.И. Алферовым, Васильев М.Г. награждается Государственной Премией СССР за цикл работ, посвященных фундаментальным исследованиям многокомпонентных твердых растворов на основе полупроводниковых соединений А3В5. Эти исследования легли в основу создания отечественных приборов квантовой электроники и были активно использованы в ряде отечественных разработок.
В 1988 году Васильев М.Г. защищает докторскую диссертацию по специальности квантовая электроника.
В 1993 году на конкурсной основе Васильеву М.Г. присуждено звание профессора. Он ведет активную научную и преподавательскую деятельность: читает курс лекций в Московском институте стали и сплавов, а затем в Российском Университете Дружбы Народов, руководит дипломными работами и аспирантами.
С 1991 года Васильев М.Г. работает в ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН заведующим сектором субмикронных структур и оптоэлектронных сенсоров. Основные научные интересы лежат в области создания новых материалов на основе наногетероструктур, квантовых ям и квантовых точек. В ходе работы создана технологическая линейка, позволяющая выращивать многослойные наногетероструктуры на профилированных поверхностях для полупроводниковых лазеров и фотодиодов. На основе разработанной технологии получены излучающие приборы в диапазоне длин волн 1210….1670нм с высокими приборными характеристиками.
Васильев М.Г принимает активное участие в выполнении различных научных программах, в том числе и в рамках федеральной целевой программы. Он является научным руководителем ряда целевых программ, том числе выполняет работу по Государственному контракту с Агентством по науке и инновациям.
За годы научной работы Васильев М.Г. в составе авторских коллективов опубликовал около 150 научных работ и 25 авторских свидетельств и патентов.
Основные печатные работы за последние 10 лет
1.
" Electron Microscopy and Mass-Spectrometry Study of InP/InGaAsP Lasers Grown by LPE"
Печ.
Phys. Stat. Sol. (a) ,1998, 140, p. 453-462
10
W. Luyiton, V.V.Volkov, S.Amelincks, C. Ferauge, R. Gilbels, A.A. Sheliykin
2.
" Electron Microscopy and Mass-Spectrometry Study of InP/InGaAsP heterostructures (p-i-n) diodes Grown by LPE."
Печ.
Phys. Stat. Sol. (a) ,1998, 140, p. 73 - 85.
13
W. Luyiton, V.V.Volkov, S.Amelincks, C. Ferauge, R. Gilbels, A.A. Sheliykin
3.
" Electron Microscopy and Mass-Spectrometry Study of InP/InGaAsP heterostructures (p-i-n) diodes and laser diodes Grown by LPE."
Печ.
Symposium Materials resarch society.,April, 4-8 , 1999, San Francisco, California, E 1.16. h. 38
1
W. Luyiton, V.V.Volkov, S.Amelincks, C. Ferauge, R. Gilbels, A.A. Sheliykin
4.
" LPE growth and characterization of the heterostructures : IR light-emitting diodes at 1.66mkm. Application to remote monitoring of methane gas."
Печ.
Sensors and Actuators 1997, A62 p. 624-632
9
V.V. Volkov, J.Van Landuyt, R. Gijlbels, C. Ferauge, A.A. Sokolovski, A.A. Sheliykin
5.
Влияние упругих напряжений на кристаллизацию эпитаксиальных слоев полкпроводниковых твердых растворов
Calculating the autocorrelation function of the radiation field emitted by a diode laser with an external cavity.
Печ.
Laser Physics, 2004, V. 10, № 4, р. 857-860
4
Sakharov V., Shelykin A.A.
7.
Получение и исследование одночастотного полупроводникового лазера.
Печ.
«Фотон-экспесс» наука 20
06. №6 с.23-26.
4
Васильев А.М., Вилк Д.М., Шелякин А.А
8.
Получение гетероструктур InP/InGaAsP/InP методом жидкофазной эпитаксии и раздельное приготовление растворов-расплавов.
Печ.
Неорганические материалы. 2007, т. 43, №7, с. 775-780
6
Васильев А.М., Вилк Д.М., Шелякин А.А.
9.
Критерии выбора лазерного излучателя для комбинированных систем радиолокации и связи СВЧ диапазона.
Печ.
Радиотехника, 2008, № 1, с. 71-77.
8
М.Е. Белкин, Э.А. Засовин
10
.«Исследование технологии и разработка методов создания полупроводниковых приборно-ориентированных наногетероструктур высокоэффективных лазеров в спектральной области 1,3…1,5 мкм для перспективных волоконно-оптических систем телекоммуникационного и радиолокационного применений»
Тема «Выбор направления исследований наногетероструктур высокоэффективных лазеров"
Рук.
Отчет по Государственному контракту №02.513.113170 с Федеральным Агентством по № госрегистрации 07.02.007 05 163, июнь 2007г этап –1, с.1-105
105
Белкин М.Е., Портной Е.Л.
11.
"Полупроводниковые лазеры, как функциональные материалы СВЧ-электроники"
Печ.
Материалы международной конференции ICFM-2007 "Функциональные материалы" Украина, Крым, октябрь, 2007г.
2
М.Е. Белкин
12.
Исследование технологии и разработка методов создания полупроводниковых приборно-ориентированных наногетероструктур высокоэффективных лазеров в спектральной области 1,3…1,5 мкм для перспективных волоконно-оптических систем телекоммуникационного и радиолокационного применений» № госрегистрации 07.02.007 05 163, ноябрь 2007г этап –2, с.1-140
Тема ««Теоретические и экспериментальные исследования лазерных структур и лазерных излучателей»
Рук.
Отчет по Государственному контракту №02.513.113170 с Федеральным Агентством по Науке и Инновациям № госрегистрации 07.02.007 05 163, ноябрь 2007г этап –2, с.1-140
140
Белкин М.Е., Портной Е.Л.
13.
"Развитие опоэлектронной элементной базы для перспективных систем радиолокации и связи СВЧ диапазона"
Печ.
Материалы международной научно-технической конференции ИНТЕРМАТИК-2007 Фундаментальные проблемы радиоэлктронного приборостроения, ноябрь 2007г., г.Москва с. 57 - 58
2
Белкин М.Е.
14.
"Критерии выбора лазерного излучателя для комбинированных систем СВЧ” с.59-60
Печ.
Материалы международной научно-технической конференции ИНТЕРМАТИК-2007 Фундаментальные проблемы радиоэлктронного приборостроения, ноябрь 2007г., г.Москва с. 59- 60
2
Белкин М.Е.. , Засовин З.А.,
15.
" Полупроводниковые лазерные излучатели с высоким произведением средней мощности на полосу модуляции."
Печ..
Нано- и микросистемная техника № 9(98), 2008, сс.23-33.
10
Белкин М.Е.
16.
"Планарно-зарощенная гетероструктура InP/GaInAsP с серповидной активной областью на р-InP"
Печ.
Неорганические материалы. 2008, т. 44, №9, с. 1031-1035
5
Васильев А.А., Шелякин А.А.
17.
" Исследование технологии и разработка методов создания полупроводниковых приборно-ориентированных наногетероструктур высокоэффективных лазеров в спектральной области 1,3…1,5 мкм для перспективных волоконно-оптических систем телекоммуникационного и радиолокационного применений» № госрегистрации 07.02.007 05 163,июнь 2008г этап –3, с.1-160
Тема ««Разработка технологии и изготовление и исследование экспериментальных образцов лазерных структур»
Рук.
Отчет по Государственному контракту №02.513.113170 с Федеральным Агентством по № госрегистрации 07.02.007 05 163, июнь 2008г этап –3, с.1-160
160
Белкин М.Е., Портной Е.Л.
18.
" Исследование технологии и разработка методов создания полупроводниковых приборно-ориентированных наногетероструктур высокоэффективных лазеров в спектральной области 1,3…1,5 мкм для перспективных волоконно-оптических систем телекоммуникационного и радиолокационного применений» № госрегистрации 07.02.007 05 163,июнь 2008г этап –3, с.1-160
Тема ««Разработка технологии и изготовление и исследование экспериментальных образцов лазерных излучателей. Обобщение результатов»
Рук.
Отчет по Государственному контракту №02.513.113170 с Федеральным Агентством по № госрегистрации 07.02.007 05 163, октябрь 2008г этап –4, с.1-95
95
Белкин М.Е., Портной Е.Л.
19.
"Simulation and Design of Semiconductor Lasers with High Power-Bandwidth Product for Modern Telecom and Radar Systems"
![](javascript:wnd=window.open("/prog/pl_editor/img_popup.php?img_url=/images/pictures/vasilev500350.jpg|","binn_popup_image","width=350,height=500,scrollbars=no,toolbar=no,location=no,status=no,resizable=yes,left="+((screen.availWidth-350) / 2)+",top="+((screen.availHeight-500) / 2));wnd.focus();)
Васильев Михаил Григорьевич закончил Московский институт стали и сплавов в 1969 г. В 1972 году поступил в аспирантуру Московского института стали и сплавов, которую с успехом закончил в конце 1975года с присуждением ученой степени кандидата технических наук. В 1976 году работал в НИИ “Полюс” начальником лаборатории. С 1977г по 1980г Васильевым М.Г. проведен комплекс работ по созданию нового оборудования и материалов для полупроводниковых лазеров. К 1980 году удается разработать и определить основные технические требования и в содружестве с рядом предприятий Министерства электронной промышленности, Министерства цветной металлургии и Академии Наук СССР, создать новое технологическое оборудование и специальные материалы, определившие дальнейшее развитие полупроводниковых лазеров и фотодиодов на следующее десятилетие. С 1977 по 1991г. Васильев М.Г. назначается главным конструктором и заместителем главного конструктора ряда работ по созданию полупроводниковых лазеров и фотодиодов.