Дополнительные ссылки

Шелякин Алексей Алексеевич, к.т.н., с.н.с., специалист в области технологии  полупроводниковых материалов.  Им выполнены  исследования в области  многокомпонентных твердых растворов полупроводниковых гетероструктур  на основе соединений А3В5, которые  легли в основу  технологии создания полупроводниковых лазеров и фотодиодов для телекоммуникационных применений.
 
За цикл работ, посвященных  исследованиям многокомпонентных твердых растворов нв составе авторского коллектива  Шелякин А.А. на основе полупроводниковых соединений А3В5,  награжден  Премией  Ленинского комсомола. Шелякин А.А. разработал технологию, позволяющую создавать наногетероструктуры на профилированных поверхностях для полупроводниковых лазеров и фотодиодов. В результате получены излучающие приборы с высокими приборными характеристиками.
 
При его непосредственном участии, впервые получены наногетероструктуры, обеспечивающие создание лазеров и фотодиодов СВЧ - диапазона  телекоммуникационного назначения.
 
Научную деятельность ст. научный сотрудник Шелякин А.А. успешно сочетает с педагогической работой. Он ведет практические работы со студентами Российского Университета Дружбы Народов. При его непосредственном участии защищено более 20 дипломных работ по технологии создания наногетероструктур.
 

 

 

 

 
Основные научные труды:
  1. W. Luyiton, V.V.Volkov, S.Amelincks,  M.G. Vasiliev, A.A. Shelyakin, C. Ferauge, R. Gilbels. Electron Microscopy and Mass-Spectrometry Study of InP/InGaAsP Lasers Grown by LPE// Phys. Stat. Sol. (a), 1998, 140, p. 453-462
  2. W. Luyiton, V.V.Volkov, S.Amelincks,  M.G. Vasiliev, A.A.Shelyakin, C. Ferauge, R. Gilbels.  Electron Microscopy and Mass-Spectrometry Study of InP/InGaAsP heterostructures (p-i-n) diodes Grown by LPE// Phys. Stat. Sol. (a), 1998, 140, p. 73 - 85.
  3. W. Luyiton, V.V.Volkov, S.Amelincks, M.G. Vasiliev, A.A. Shelyakin, C. Ferauge, R. Gilbels. Electron Microscopy and Mass-Spectrometry Study of InP/InGaAsP heterostructures (p-i-n) diodes and  laser diodes Grown by LPE// Symposium Materials resarch society.,April, 4-8 , 1999, San Francisco, California, E 1.16. h. 38
  4. M.G. Vasiliev, V. Sakharov, A.A. Shelyakin. Calculating the autocorrelation function of the radiation field emitted by a diode laser with an external cavity.// Laser Physics, 2004, V. 10, № 4, р. 857-860
  5. Васильев А.М., Вилк Д.М., Шелякин А.А. Получение и исследование одночастотного полупроводникового лазера.//«Фотон-экспресс» Наука 2006. №6 с.23-26.
  6. Васильев А.М., Вилк Д.М., Шелякин А.А. Получение гетероструктур InP/InGaAsP/InP методом жидкофазной эпитаксии и раздельное приготовление растворов-расплавов// Неорганические материалы. 2007, т. 43, №7, с. 775-780
  7. М.Е. Белкин, М.Г. Васильев, Э.А. Засовин, А.А. Шелякин. Критерии выбора лазерного излучателя для комбинированных систем радиолокации и связи СВЧ диапазона// Радиотехника, 2008, № 1, с. 71-77.
  8. Design of Semiconductor Lasers with High Power-Bandwidth Product for Modern Telecom and Radar Systems/ M.E. Belkin, M.G. Vasilev , A.A. Shelyakin//Intern. Conf. "Laser Optics 2008", p.66, 2008, Jun. 23-28. St.- Peters., Russia
  9. Исследование технологии и разработка методов создания полупроводниковых приборно-ориентированных наногетероструктур высокоэффективных лазеров в спектральной области 1,3…1,5 мкм. Разработка технологии и изготовления и исследование экспериментальных образцов лазерных структур/ М.Г. Васильев, М.Е.Белкин, Е.Л. Портной, А.А. Шелякин // Отчет по Государственному контракту №02.513.113170 с Федеральным Агентством по № госрегистрации  07.02.007 05 163, июнь 2008г. этап –3, с.1-160  
  10. Исследование технологии и разработка методов создания полупроводниковых приборно-ориентированных наногетероструктур высокоэффективных лазеров в спектральной области 1,3…1,5 мкм. Разработка технологии и изготовление и исследование экспериментальных образцов лазерных  лазерных излучателей. Обобщение результатов/ М.Г. Васильев, М.Е.Белкин, Е.Л. Портной, А.А. Шелякин // Отчет по Государственному контракту №02.513.113170 с Федеральным Агентством по № госрегистрации  07.02.007 05 163, октябрь 2008г этап –4, с.1-95  
  11. High-Power InP/GaInAsP Buried Heterostructure Semiconductor Laser with a Modulation Band of up to 10 GHz /A.M. Vasiliev., A.A. Shelykin// Inorganic materials , 2010. v.46 No. 9 pp.1021- 1026
  12. Создание и исследование лазерного диода для удаленного определения концентрации метана. /М.Г. Васильев, А.М. Васильев,  А.Д. Изотов, А.А. Шелякин, // Неорганические материалы. – 2012. - №3. – c. 305-311
  13. Laser Diode for Remote Sensing of Methane. / M.G. Vasilev, A.M. Vasilev, A.D. Izotov, and A.A. Shelyakin.// Inorganic Materials, 2012, V.48, No.3, pp. 252-257
  14. Технология и параметры зарощенного лазерного диода с длиной волны излучения 1310 нм, работающего в СВЧ – диапазоне./ М.Г. Васильев, А.М. Васильев,  А.Д. Изотов, Я.Г. Филатов, А.А. Шелякин,// Неорганические материалы, 2013, т. 49, №6, с. 8-16.
  15. Зарощенный лазерный диод с длиной волны излучения 1310 нм,  работающий в СВЧ - диапазоне./ М.Г. Васильев, А.М. Васильев,  А.Д. Изотов,  А.А. Шелякин,// Известия академии инженерных наук им. А.М. Прохорова.2013. №2. С.23-30
  16. Патент РФ  №   2008134701  " Полупроводниковый лазерный излучатель с полосой модуляции в СВЧ диапазоне». Васильев М.Г., Белкин М.Е., Шелякин А.А. Приоритет от 28.08.2008
  17. Пат. RU 2 421 857  С2  Полупроводниковый лазерный излучатель с полосой модуляции в СВЧ -диапазоне / Опубликован 20.06. 2011 . Бюл. № 17.  Васильев М.Г., Белкин М.Е., Шелякин А.А.; заявитель и патентообладатель МИРЭА. Опубликован 20.06. 2011 . Бюл.№ 17.
ОБЪЯВЛЕНИЯ
Рассылка новостей