Васильев Михаил Григорьевич закончил Московский институт стали и сплавов в 1969 г. В 1972 году поступил в аспирантуру Московского института стали и сплавов, которую с успехом закончил в конце 1975 года с присуждением ученой степени кандидата технических наук. В 1976 году работал в НИИ “Полюс” начальником лаборатории. С 1977 по 1980 гг. Васильевым М.Г. проведен комплекс работ по созданию нового оборудования и материалов для полупроводниковых лазеров. К 1980 году удается разработать и определить основные технические требования и в содружестве с рядом предприятий Министерства электронной промышленности, Министерства цветной металлургии и Академии Наук СССР, создать новое технологическое оборудование и специальные материалы, определившие дальнейшее развитие полупроводниковых лазеров и фотодиодов на следующее десятилетие. С 1977 по 1991г. Васильев М.Г. назначается главным конструктором и заместителем главного конструктора ряда работ по созданию полупроводниковых лазеров и фотодиодов.
В 1984 году в составе авторского коллектива, возглавляемого Ж.И. Алферовым, Васильев М.Г. награждается Государственной Премией СССР за цикл работ, посвященных фундаментальным исследованиям многокомпонентных твердых растворов на основе полупроводниковых соединений А3В5. Эти исследования легли в основу создания отечественных приборов квантовой электроники и были активно использованы в ряде отечественных разработок.
В 1988 году Васильев М.Г. защитил докторскую диссертацию по специальности «квантовая электроника».
В 1993 году на конкурсной основе Васильеву М.Г. присуждено звание профессора. Он ведет активную научную и преподавательскую деятельность: преподает в Российском Университете Дружбы Народов, руководит дипломными работами и аспирантами.
С 1991 года Васильев М.Г. работает в ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН заведующим сектором субмикронных структур и оптоэлектронных сенсоров. Основные научные интересы лежат в области создания новых материалов на основе наногетероструктур, квантовых ям и квантовых точек. В ходе работы создана технологическая линейка, позволяющая выращивать многослойные наногетероструктуры на профилированных поверхностях для полупроводниковых лазеров и фотодиодов. На основе разработанной технологии получены излучающие приборы в диапазоне длин волн 1210….1670 нм с высокими приборными характеристиками. Был научным руководителем ряда целевых программ, в том числе - по Государственному контракту с Агентством по науке и инновациям.
C 2015 года – заведующий лабораторией полупроводниковых и диэлектрических материалов ИОНХ РАН.
За годы научной работы Васильев М.Г. в составе авторских коллективов опубликовал около 150 научных работ и 25 авторских свидетельств и патентов.
Основные печатные работы за последние годы.
Патенты:
Патент РФ № 2008134701 "Полупроводниковый лазерный излучатель с полосой модуляции в СВЧ диапазоне». Васильев М.Г., Белкин М.Е., Шелякин А.А. Приоритет от 28.08.2008
Пат. RU 2 421 857 С2 Полупроводниковый лазерный излучатель с полосой модуляции в СВЧ - диапазоне / Опубликован 20.06. 2011 . Бюл. № 17. Васильев М.Г., Белкин М.Е., Шелякин А.А.; заявитель и патентообладатель МИРЭА. Опубликован 20.06. 2011 . Бюл.№ 17.
Статьи:
М. Г. Васильев, А. М. Васильев, А. Д. Изотов, А. А. Шелякин. Создание и исследование высокотемпературного лазерного диода с длиной волны излучения 1310 нм на основе зарощенных гетероструктур InP/GaInAsP.// Неорганические материалы. 2014. Т.50. №9. С.963-967.
М. Г. Васильев, А. М. Васильев, А. Д. Изотов, Я. Г. Филатов, А. А. Шелякин. Технология и параметры зарощенного лазерного диода с длиной волны излучения 1310 нм, работающего в СВЧ-диапазоне// Неорганические материалы. 2013. Т. 49. №6. С. 573–579.
М.Г. Васильев, А.М. Васильев, А.Д. Изотов, А.А. Шелякин. Создание и исследование лазерного диода для удаленного определения концентрации метана. // Неорганические материалы. – 2012. - №3. – c. 305-311
М.Г. Васильев, А.М. Васильев, А.Д. Изотов, А.А. Шелякин . Зарощенный лазерный диод с длиной волны излучения 1310 нм, работающий в СВЧ диапазоне. // Известия Академии Инженерных Наук им. А.М. Прохорова. 2013. №2. С. 23-30.
High-Power InP/GaInAsP Buried Heterostructure Semiconductor Laser with a Modulation Band of up to 10 GHz. M.G.Vasil’ev, A.M. Vasiliev., A.A. Shelyakin// Inorganic materials. 2010. V.46 No. 9 pp.1021- 1026
М.Е. Белкин, М.Г. Васильев, Э.А. Засовин, А.А. Шелякин. Критерии выбора лазерного излучателя для комбинированных систем радиолокации и связи СВЧ диапазона// Радиотехника, 2008, № 1, с. 71-77.
Васильев М.Г., Васильев А.М., Шелякин А.А. Планарно-зарощенная гетероструктура InP/GaInAsP с серповидной активной областью на р-InP // Неорганические материалы. 2008. Т.44. № 9. с. 1031-1035.
Васильев М.Г., Васильев А.М., Шелякин А.А. Гетероструктура InP/InGaAsP/InP с серповидной активной областью на p-InP для мощных одномодовых лазеров с длиной волны излучения 1,31 мкм.// В кн.: Современные проблемы общей и неорганической химии, Москва. РАН. 2009. с. 103-108.
Исследование технологии и разработка методов создания полупроводниковых приборно-ориентированных наногетероструктур высокоэффективных лазеров в спектральной области 1,3…1,5 мкм. Разработка технологии и изготовления и исследование экспериментальных образцов лазерных структур/ М.Г. Васильев, М.Е.Белкин, Е.Л. Портной, А.А. Шелякин // Отчет по Государственному контракту №02.513.113170 с Федеральным Агентством по № госрегистрации 07.02.007 05 163, июнь 2008 г. этап –3, с.1-160
Исследование технологии и разработка методов создания полупроводниковых приборно-ориентированных наногетероструктур высокоэффективных лазеров в спектральной области 1,3…1,5 мкм. Разработка технологии и изготовление и исследование экспериментальных образцов лазерных лазерных излучателей. Обобщение результатов/ М.Г. Васильев, М.Е.Белкин, Е.Л. Портной, А.А. Шелякин // Отчет по Государственному контракту №02.513.113170 с Федеральным Агентством по № госрегистрации 07.02.007 05 163, октябрь 2008г. этап –4, с.1-95
Васильев М.Г., Васильев А.М., Вилк Д.М., Шелякин А.А. Получение гетероструктур InP/InGaAsP/InP методом жидкофазной эпитаксии и раздельное приготовление растворов-расплавов// Неорганические материалы. 2007, т. 43, №7, с. 775-780
Васильев М.Г., Васильев А.М., Вилк Д.М., Шелякин А.А. Получение и исследование одночастотного полупроводникового лазера.//«Фотон-экспресс» Наука 2006. №6 с.23-26.
Васильев Михаил Григорьевич закончил Московский институт стали и сплавов в 1969 г. В 1972 году поступил в аспирантуру Московского института стали и сплавов, которую с успехом закончил в конце 1975 года с присуждением ученой степени кандидата технических наук. В 1976 году работал в НИИ “Полюс” начальником лаборатории. С 1977 по 1980 гг. Васильевым М.Г. проведен комплекс работ по созданию нового оборудования и материалов для полупроводниковых лазеров. К 1980 году удается разработать и определить основные технические требования и в содружестве с рядом предприятий Министерства электронной промышленности, Министерства цветной металлургии и Академии Наук СССР, создать новое технологическое оборудование и специальные материалы, определившие дальнейшее развитие полупроводниковых лазеров и фотодиодов на следующее десятилетие. С 1977 по 1991г. Васильев М.Г. назначается главным конструктором и заместителем главного конструктора ряда работ по созданию полупроводниковых лазеров и фотодиодов. 
%20/%202)+%22,top=%22+((screen.availHeight-500)%20/%202));wnd.focus();){kind=link}